Electrical characterization of Schottky diodes based on boron doped homoepitaxial diamond films by conducting probe atomic force microscopy - CentraleSupélec
Article Dans Une Revue Superlattices and Microstructures Année : 2006

Electrical characterization of Schottky diodes based on boron doped homoepitaxial diamond films by conducting probe atomic force microscopy

José Alvarez
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Frédéric Houzé
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
M. Liao
  • Fonction : Auteur
Y. Koide
  • Fonction : Auteur

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Soumis le : mercredi 10 septembre 2008-16:09:29

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Dates et versions

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Identifiants

  • HAL Id : hal-00320288 , version 1

Citer

José Alvarez, Frédéric Houzé, Jean-Paul Kleider, M. Liao, Y. Koide. Electrical characterization of Schottky diodes based on boron doped homoepitaxial diamond films by conducting probe atomic force microscopy. Superlattices and Microstructures, 2006, 40, pp.343-349. ⟨hal-00320288⟩

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