Plasma treatments of the interface in n-type amorphous hydrogenated silicon p-type crystalline silicon heterojunction solar cells - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

Plasma treatments of the interface in n-type amorphous hydrogenated silicon p-type crystalline silicon heterojunction solar cells

J. Damon-Lacoste
  • Fonction : Auteur
Pere Roca I Cabarrocas
Alexander Gudovskikh
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1409909
  • IdRef : 230416667
Laboratoire de génie électrique de Paris
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
C. Jaussaud
  • Fonction : Auteur
P.J. Ribeyron
  • Fonction : Auteur
V. Svrcek
  • Fonction : Auteur
Y. Veschetti
  • Fonction : Auteur
J.C. Muller
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00321096

Soumis le : vendredi 12 septembre 2008-12:42:36

Dernière modification le : mardi 27 août 2024-15:31:39

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00321096 , version 1 (12-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00321096 , version 1

Citer

J. Damon-Lacoste, Pere Roca I Cabarrocas, Alexander Gudovskikh, Jean-Paul Kleider, C. Jaussaud, et al.. Plasma treatments of the interface in n-type amorphous hydrogenated silicon p-type crystalline silicon heterojunction solar cells. 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 2004, France. pp.1453-1456. ⟨hal-00321096⟩

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