Device quality a-Si:H deposited from electron cyclotron resonance at very high deposition rates - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Device quality a-Si:H deposited from electron cyclotron resonance at very high deposition rates

Marie-Estelle Gueunier-Farret
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Cyril Bazin
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris
P. Bulkin
  • Fonction : Auteur
D. Daineka
  • Fonction : Auteur
T.H. Dao
  • Fonction : Auteur
Pere Roca I Cabarrocas
P. Descamps
  • Fonction : Auteur
T. Kervyn de Meerenedre
  • Fonction : Auteur
P. Loempoel
  • Fonction : Auteur
M. Meaudre
  • Fonction : Auteur
R. Meaudre
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00321694

Soumis le : lundi 15 septembre 2008-16:39:34

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:50

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00321694 , version 1 (15-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00321694 , version 1

Citer

Marie-Estelle Gueunier-Farret, Cyril Bazin, Jean-Paul Kleider, Christophe Longeaud, P. Bulkin, et al.. Device quality a-Si:H deposited from electron cyclotron resonance at very high deposition rates. 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, 2005, Portugal. ⟨hal-00321694⟩

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