Effect of thermal coupling on the electronic properties of hydrogenated amorphous silicon thin films deposited by electron cyclotron resonance - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Effect of thermal coupling on the electronic properties of hydrogenated amorphous silicon thin films deposited by electron cyclotron resonance

T.H. Dao
  • Fonction : Auteur
Marie-Estelle Gueunier-Farret
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
D. Daineka
  • Fonction : Auteur
P. Bulkin
  • Fonction : Auteur
Pere Roca I Cabarrocas
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris
Cyril Bazin
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
T. Kervyn de Meerenedre
  • Fonction : Auteur
P. Descamps
  • Fonction : Auteur
P. Loempoel
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00321911

Soumis le : mardi 16 septembre 2008-10:49:03

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:50

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00321911 , version 1 (16-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00321911 , version 1

Citer

T.H. Dao, Marie-Estelle Gueunier-Farret, D. Daineka, P. Bulkin, Pere Roca I Cabarrocas, et al.. Effect of thermal coupling on the electronic properties of hydrogenated amorphous silicon thin films deposited by electron cyclotron resonance. E-MRS 2006 Spring Meeting, 2006, France. ⟨hal-00321911⟩

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