Determination of the conduction band offset between hydrogenated amorphous silicon and crystalline silicon from surface inversion layer conductance measurements - CentraleSupélec
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2008

Determination of the conduction band offset between hydrogenated amorphous silicon and crystalline silicon from surface inversion layer conductance measurements

Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
A.S. Gudovskikh
  • Fonction : Auteur
Pere Roca I Cabarrocas

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00350871

Soumis le : mercredi 7 janvier 2009-16:58:15

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00350871 , version 1 (07-01-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00350871 , version 1

Citer

Jean-Paul Kleider, A.S. Gudovskikh, Pere Roca I Cabarrocas. Determination of the conduction band offset between hydrogenated amorphous silicon and crystalline silicon from surface inversion layer conductance measurements. Applied Physics Letters, 2008, 92, pp.162101. ⟨hal-00350871⟩

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