Distributed Electron Cyclotron Resonance plasma: a technology for large area deposition of device quality a-Si:H at very high rate - CentraleSupélec
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 2008

Distributed Electron Cyclotron Resonance plasma: a technology for large area deposition of device quality a-Si:H at very high rate

P. Leempoel
  • Fonction : Auteur
P. Descamps
  • Fonction : Auteur
T. Kervyn de Meerendré
  • Fonction : Auteur
J. Charliac
Pere Roca I Cabarrocas
P. Bulkin
  • Fonction : Auteur
D. Daineka
  • Fonction : Auteur
T.H. Dao
  • Fonction : Auteur
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Marie-Estelle Gueunier-Farret
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00350890

Soumis le : mercredi 7 janvier 2009-17:11:36

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:51

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00350890 , version 1 (07-01-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00350890 , version 1

Citer

P. Leempoel, P. Descamps, T. Kervyn de Meerendré, J. Charliac, Pere Roca I Cabarrocas, et al.. Distributed Electron Cyclotron Resonance plasma: a technology for large area deposition of device quality a-Si:H at very high rate. Thin Solid Films, 2008, 516, pp.6853. ⟨hal-00350890⟩

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