Characterization of defects in semi-insulating SiC by means of Photoinduced current transient spectroscopy and modulated photocurrent technique - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Characterization of defects in semi-insulating SiC by means of Photoinduced current transient spectroscopy and modulated photocurrent technique

Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
P. Kaminski
  • Fonction : Auteur
R. Kozlowski
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00351230

Soumis le : jeudi 8 janvier 2009-16:56:09

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:51

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00351230 , version 1 (08-01-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00351230 , version 1

Citer

Christophe Longeaud, Jean-Paul Kleider, P. Kaminski, R. Kozlowski. Characterization of defects in semi-insulating SiC by means of Photoinduced current transient spectroscopy and modulated photocurrent technique. XI International Conference “Physics of dielectrics”, Jun 2008, St Petersbourg, Russia. pp.CD-ROM Proceedings. ⟨hal-00351230⟩

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