Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates

Olivier Schneegans  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-00351235

Soumis le : jeudi 8 janvier 2009-17:03:34

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:51

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00351235 , version 1 (08-01-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00351235 , version 1

Citer

Yrebegnan Moussa Soro, Marie-Estelle Gueunier-Farret, Christophe Longeaud, Jean-Paul Kleider. Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates. Journées annuelles de la SF2M 2008, Jun 2008, Paris, France. pp.CD-ROM. ⟨hal-00351235⟩

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