Study of GaInP heterojunction solar cell interface properties by admittance spectroscopy - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Study of GaInP heterojunction solar cell interface properties by admittance spectroscopy

A.S. Gudovskikh
  • Fonction : Auteur
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Rémy Chouffot
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
N.A. Kaluzhniy
  • Fonction : Auteur
V. Lantratov
  • Fonction : Auteur
S.A. Mintairov
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00351244

Soumis le : jeudi 8 janvier 2009-17:10:56

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:51

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00351244 , version 1 (08-01-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00351244 , version 1

Citer

A.S. Gudovskikh, Jean-Paul Kleider, Rémy Chouffot, N.A. Kaluzhniy, V. Lantratov, et al.. Study of GaInP heterojunction solar cell interface properties by admittance spectroscopy. 23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Sep 2008, Valencia, Spain. pp.CD-ROM Proceedings. ⟨hal-00351244⟩

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