Study of the interfacial properties of amorphous Silicon/n-type crystalline Silicon heterojunction through static coplanar conductance measurements - CentraleSupélec
Article Dans Une Revue physica status solidi (c) Année : 2010

Study of the interfacial properties of amorphous Silicon/n-type crystalline Silicon heterojunction through static coplanar conductance measurements

Wilfried Favre
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
M. Labrune
  • Fonction : Auteur
Foudil Dadouche
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
A.S. Gudovskikh
  • Fonction : Auteur
Pere Roca I Cabarrocas
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00555226

Soumis le : mercredi 12 janvier 2011-17:18:17

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:54

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Dates et versions

hal-00555226 , version 1 (12-01-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00555226 , version 1

Citer

Wilfried Favre, M. Labrune, Foudil Dadouche, A.S. Gudovskikh, Pere Roca I Cabarrocas, et al.. Study of the interfacial properties of amorphous Silicon/n-type crystalline Silicon heterojunction through static coplanar conductance measurements. physica status solidi (c), 2010, 7 (3), pp.1037-1040. ⟨hal-00555226⟩

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