Influence of the Ga content increase on the defects properties in the absorber of CuInxGa1-xSe2 based solar cells investigated by Sub Gap Modulated Photo-Current Spectroscopy and Admittance Spectroscopy - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Influence of the Ga content increase on the defects properties in the absorber of CuInxGa1-xSe2 based solar cells investigated by Sub Gap Modulated Photo-Current Spectroscopy and Admittance Spectroscopy

Jaafar Serhan
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
Zakaria Djebbour
Laboratoire de génie électrique de Paris
Denis Mencaraglia
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
F. Couzinié-Devy
  • Fonction : Auteur
Nicolas Barreau
J. Kessler
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00555246

Soumis le : mercredi 12 janvier 2011-17:22:55

Dernière modification le : mardi 27 août 2024-11:55:44

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00555246 , version 1 (12-01-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00555246 , version 1

Citer

Jaafar Serhan, Zakaria Djebbour, Denis Mencaraglia, F. Couzinié-Devy, Nicolas Barreau, et al.. Influence of the Ga content increase on the defects properties in the absorber of CuInxGa1-xSe2 based solar cells investigated by Sub Gap Modulated Photo-Current Spectroscopy and Admittance Spectroscopy. E-MRS 2010 Spring Meeting, Jun 2010, Strasbourg, France. ⟨hal-00555246⟩

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