Electrical characterization of phosphorus doped silicon nanowires - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Electrical characterization of phosphorus doped silicon nanowires

José Alvarez
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Irène Ngo
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
Marie-Estelle Gueunier-Farret
CV
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Simon Perraud
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00555247

Soumis le : mercredi 12 janvier 2011-17:22:56

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:54

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Dates et versions

hal-00555247 , version 1 (12-01-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00555247 , version 1

Citer

José Alvarez, Irène Ngo, Marie-Estelle Gueunier-Farret, Jean-Paul Kleider, Simon Perraud. Electrical characterization of phosphorus doped silicon nanowires. MRS Spring Meeting, Apr 2010, San Francisco, United States. ⟨hal-00555247⟩

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