Capacitance spectroscopy in amorphous silicon Schottky diodes : theory and modelling - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Capacitance spectroscopy in amorphous silicon Schottky diodes : theory and modelling

Olga Maslova
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1409633
  • IdRef : 170665097
Laboratoire de génie électrique de Paris
Foudil Dadouche
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
A.S. Gudovskikh
  • Fonction : Auteur
E.I Terukov
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00555250

Soumis le : mercredi 12 janvier 2011-17:22:58

Dernière modification le : mardi 27 août 2024-09:36:58

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00555250 , version 1 (12-01-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00555250 , version 1

Citer

Olga Maslova, Foudil Dadouche, Jean-Paul Kleider, A.S. Gudovskikh, E.I Terukov. Capacitance spectroscopy in amorphous silicon Schottky diodes : theory and modelling. 7th International Conference on amorphous and microcrystalline semiconductors, Jun 2010, Saint-Petersburg, Russia. ⟨hal-00555250⟩

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