Physical insight into interface passivation of a-Si:H/c-Si heterostructures by analysis of injection-dependent lifetime and band bending - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Physical insight into interface passivation of a-Si:H/c-Si heterostructures by analysis of injection-dependent lifetime and band bending

Caspar Leendertz
  • Fonction : Auteur
N. Mingirulli
  • Fonction : Auteur
T.F. Schulze
  • Fonction : Auteur
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Bernd Rech
  • Fonction : Auteur
Lars Korte
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00555253

Soumis le : mercredi 12 janvier 2011-17:23:19

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:54

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00555253 , version 1 (12-01-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00555253 , version 1

Citer

Caspar Leendertz, N. Mingirulli, T.F. Schulze, Jean-Paul Kleider, Bernd Rech, et al.. Physical insight into interface passivation of a-Si:H/c-Si heterostructures by analysis of injection-dependent lifetime and band bending. 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Sep 2010, Valencia, Spain. ⟨hal-00555253⟩

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