Observation by conductive-probe atomic force microscopy of strongly inverted surface layers at the hydrogenated amorphous silicon/crystalline silicon heterojunctions - CentraleSupélec
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2010

Observation by conductive-probe atomic force microscopy of strongly inverted surface layers at the hydrogenated amorphous silicon/crystalline silicon heterojunctions

Olga Alexandrovna Maslova
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1409633
  • IdRef : 170665097
Laboratoire de génie électrique de Paris
José Alvarez
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
E.V. Gushina
  • Fonction : Auteur
Wilfried Favre
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
Marie-Estelle Gueunier-Farret
CV
A.S. Gudovskikh
  • Fonction : Auteur
A.V. Ankudinov
  • Fonction : Auteur
E.I Terukov
  • Fonction : Auteur
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV

Olivier Schneegans  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-00557102

Soumis le : mardi 18 janvier 2011-15:01:37

Dernière modification le : mardi 27 août 2024-09:36:58

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00557102 , version 1 (18-01-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00557102 , version 1

Citer

Olga Alexandrovna Maslova, José Alvarez, E.V. Gushina, Wilfried Favre, Marie-Estelle Gueunier-Farret, et al.. Observation by conductive-probe atomic force microscopy of strongly inverted surface layers at the hydrogenated amorphous silicon/crystalline silicon heterojunctions. Applied Physics Letters, 2010, 97 (25), pp.252110. ⟨hal-00557102⟩

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