Space charge capacitance spectroscopy in amorphous silicon Schottky diodes: theory, modeling, and experiments - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Space charge capacitance spectroscopy in amorphous silicon Schottky diodes: theory, modeling, and experiments

Olga Maslova
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1409633
  • IdRef : 170665097
Laboratoire de génie électrique de Paris
Marie-Estelle Gueunier-Farret
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
José Alvarez
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
A.S. Gudovskikh
  • Fonction : Auteur
E.I Terukov
  • Fonction : Auteur
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00710774

Soumis le : jeudi 21 juin 2012-15:53:38

Dernière modification le : mardi 27 août 2024-09:36:58

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00710774 , version 1 (21-06-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00710774 , version 1

Citer

Olga Maslova, Marie-Estelle Gueunier-Farret, José Alvarez, A.S. Gudovskikh, E.I Terukov, et al.. Space charge capacitance spectroscopy in amorphous silicon Schottky diodes: theory, modeling, and experiments. ICANS24, Aug 2011, Nara, Japan. ⟨hal-00710774⟩

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