Etude structurelle de l'InGaN en fonction de l'épaisseur et de la concentration d'indium - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Etude structurelle de l'InGaN en fonction de l'épaisseur et de la concentration d'indium

Vanessa Gorge
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1409904
  • IdRef : 160379768
Laboratoire de génie électrique de Paris
K. Pantzas
Anne Migan-Dubois
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Christelle Pareige
Laboratoire de génie électrique de Paris
Zakaria Djebbour
Laboratoire de génie électrique de Paris
T. Moudakir
  • Fonction : Auteur
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Simon Gautier
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes
Gaëlle Orsal
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes
A. Ougazzaden
Georgia Tech Lorraine [Metz]

Olivier Schneegans  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-00710796

Soumis le : jeudi 21 juin 2012-15:54:47

Dernière modification le : mardi 27 août 2024-15:25:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00710796 , version 1 (21-06-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00710796 , version 1

Citer

Vanessa Gorge, K. Pantzas, Anne Migan-Dubois, Christelle Pareige, Zakaria Djebbour, et al.. Etude structurelle de l'InGaN en fonction de l'épaisseur et de la concentration d'indium. Journées Nationales Photovoltaïques 2011, Dec 2011, Dourdan, France. ⟨hal-00710796⟩

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