Study of the electronic transport properties of Zinc Indium Sulfide thin films deposited by Atomic Layer Deposition technique for solar cells applications - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Study of the electronic transport properties of Zinc Indium Sulfide thin films deposited by Atomic Layer Deposition technique for solar cells applications

Arouna Darga
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Amir Fathallah
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris
P. Genevée
  • Fonction : Auteur
F. Donsanti
  • Fonction : Auteur
D. Lincot
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00779009

Soumis le : lundi 21 janvier 2013-15:57:53

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:56

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00779009 , version 1 (21-01-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00779009 , version 1

Citer

Arouna Darga, Amir Fathallah, Christophe Longeaud, P. Genevée, F. Donsanti, et al.. Study of the electronic transport properties of Zinc Indium Sulfide thin films deposited by Atomic Layer Deposition technique for solar cells applications. E-MRS Spring Meeting 2012, May 2012, Strasbourg, France. ⟨hal-00779009⟩

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