Caracterisations structurales et electriques de μc-Si1−xCx :H deposes par RF-PECVD - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Caracterisations structurales et electriques de μc-Si1−xCx :H deposes par RF-PECVD

Sofia Gaiaschi
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
R. Ruggeri
  • Fonction : Auteur
E.V. Johnson
CV
Pavel Bulkin
Marie-Estelle Gueunier-Farret
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris
G. Mannino
  • Fonction : Auteur
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00781749

Soumis le : lundi 28 janvier 2013-12:02:41

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:56

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00781749 , version 1 (28-01-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00781749 , version 1

Citer

Sofia Gaiaschi, R. Ruggeri, E.V. Johnson, Pavel Bulkin, Marie-Estelle Gueunier-Farret, et al.. Caracterisations structurales et electriques de μc-Si1−xCx :H deposes par RF-PECVD. JNPV 2012, Dec 2012, Chantilly, France. ⟨hal-00781749⟩

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