Tailored Voltage deposition of µc-Si1-xCx:H from H2 diluted SiH4 and CH4 gas mixtures - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Tailored Voltage deposition of µc-Si1-xCx:H from H2 diluted SiH4 and CH4 gas mixtures

Sofia Gaiaschi
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
R. Ruggeri
  • Fonction : Auteur
E.V. Johnson
CV
Marie-Estelle Gueunier-Farret
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris
Pavel Bulkin
P. Chapon
  • Fonction : Auteur
G. Mannino
  • Fonction : Auteur
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV

Thierry Leblanc  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-00931312

Soumis le : mercredi 15 janvier 2014-11:29:52

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:58

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00931312 , version 1 (15-01-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00931312 , version 1

Citer

Sofia Gaiaschi, R. Ruggeri, E.V. Johnson, Marie-Estelle Gueunier-Farret, Christophe Longeaud, et al.. Tailored Voltage deposition of µc-Si1-xCx:H from H2 diluted SiH4 and CH4 gas mixtures. ICANS 25, Aug 2013, Toronto, Canada. ⟨hal-00931312⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

SUPELEC UPMC EC-PARIS CNRS SUP_LGEP CENTRALESUPELEC GEEPS PHEMADIC UNIV-PARIS-SACLAY SORBONNE-UNIVERSITE SU-SCIENCES
68 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More