Communication Dans Un Congrès
Année : 2013
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https://centralesupelec.hal.science/hal-00931312
Soumis le : mercredi 15 janvier 2014-11:29:52
Dernière modification le : vendredi 14 février 2025-10:57:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00931312 , version 1
Citer
Sofia Gaiaschi, R. Ruggeri, E.V. Johnson, Marie-Estelle Gueunier-Farret, Christophe Longeaud, et al.. Tailored Voltage deposition of µc-Si1-xCx:H from H2 diluted SiH4 and CH4 gas mixtures. ICANS 25, Aug 2013, Toronto, Canada. ⟨hal-00931312⟩
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