Temperature and Bias Dependence of Hydrogenated Amorphous Silicon/Crystalline Silicon Heterojunction Capacitance: The Link to Band Bending and Band Offsets - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Temperature and Bias Dependence of Hydrogenated Amorphous Silicon/Crystalline Silicon Heterojunction Capacitance: The Link to Band Bending and Band Offsets

Olga Maslova
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1409633
  • IdRef : 170665097
Laboratoire de génie électrique de Paris
Aurore Brézard-Oudot
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Marie-Estelle Gueunier-Farret
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
José Alvarez
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Wilfried Favre
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
D. Munoz
  • Fonction : Auteur
A.S. Gudovskikh
  • Fonction : Auteur
E.I Terukov
  • Fonction : Auteur
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00931318

Soumis le : mercredi 15 janvier 2014-11:29:53

Dernière modification le : mardi 27 août 2024-09:36:58

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00931318 , version 1 (15-01-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00931318 , version 1

Citer

Olga Maslova, Aurore Brézard-Oudot, Marie-Estelle Gueunier-Farret, José Alvarez, Wilfried Favre, et al.. Temperature and Bias Dependence of Hydrogenated Amorphous Silicon/Crystalline Silicon Heterojunction Capacitance: The Link to Band Bending and Band Offsets. ICANS 25, Aug 2013, Toronto, Canada. ⟨hal-00931318⟩

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