Intégration de microcristaux de GaAs sur Si(100) sans domaines d'antiphase ni dislocation - CentraleSupélec
Conference Papers Year : 2013

Intégration de microcristaux de GaAs sur Si(100) sans domaines d'antiphase ni dislocation

Timothée Molière
Laboratoire de génie électrique de Paris
N. Cherkasin
  • Function : Author
Charles Renard
CV
A. Michel
G. Hallais
  • Function : Author
Laetitia Vincent
Daniel Bouchier
  • Function : Author

Thierry Leblanc  : Connect in order to contact the contributor

https://centralesupelec.hal.science/hal-00931329

Submitted on : Wednesday, January 15, 2014-11:29:54 AM

Last modification on : Friday, March 24, 2023-2:52:58 PM

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Dates and versions

hal-00931329 , version 1 (15-01-2014)

Identifiers

  • HAL Id : hal-00931329 , version 1

Cite

Timothée Molière, N. Cherkasin, Charles Renard, A. Michel, G. Hallais, et al.. Intégration de microcristaux de GaAs sur Si(100) sans domaines d'antiphase ni dislocation. JNPV 2013, Dec 2013, Dourdan, France. ⟨hal-00931329⟩

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