Intégration de microcristaux de GaAs sur Si(100) sans domaines d'antiphase ni dislocation - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Intégration de microcristaux de GaAs sur Si(100) sans domaines d'antiphase ni dislocation

Timothée Molière
Laboratoire de génie électrique de Paris
N. Cherkasin
  • Fonction : Auteur
Charles Renard
CV
A. Michel
G. Hallais
  • Fonction : Auteur
Laetitia Vincent
Daniel Bouchier
  • Fonction : Auteur

Thierry Leblanc  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-00931329

Soumis le : mercredi 15 janvier 2014-11:29:54

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:58

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00931329 , version 1 (15-01-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00931329 , version 1

Citer

Timothée Molière, N. Cherkasin, Charles Renard, A. Michel, G. Hallais, et al.. Intégration de microcristaux de GaAs sur Si(100) sans domaines d'antiphase ni dislocation. JNPV 2013, Dec 2013, Dourdan, France. ⟨hal-00931329⟩

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