Electronic Properties of Large Area Nitrogen Doped Trilayer Graphene on 4H-SiC (0001) - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Electronic Properties of Large Area Nitrogen Doped Trilayer Graphene on 4H-SiC (0001)

Mohamed Boutchich
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Hakim Arezki
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1409053
  • IdRef : 194459160
Laboratoire de génie électrique de Paris
David Alamarguy
Laboratoire de génie électrique de Paris
K.I. Ho
  • Fonction : Auteur
Sediri Haikel
  • Fonction : Auteur
Fethullah Gunes
  • Fonction : Auteur
Department of Energy Science
José Alvarez
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Chao-Sung Lai
  • Fonction : Auteur
Abdelkarim Ouerghi
Laboratoire de photonique et de nanostructures

Domaines

Physique [physics]

Thierry Leblanc  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01104492

Soumis le : vendredi 16 janvier 2015-19:07:46

Dernière modification le : vendredi 23 août 2024-10:53:47

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01104492 , version 1 (16-01-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01104492 , version 1

Citer

Mohamed Boutchich, Hakim Arezki, David Alamarguy, K.I. Ho, Sediri Haikel, et al.. Electronic Properties of Large Area Nitrogen Doped Trilayer Graphene on 4H-SiC (0001). IRAGO 2014, Nov 2014, Tsukuba, Japan. pp.7PM-4. ⟨hal-01104492⟩

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