Role of Anions in the AuCl3-Doping Trilayers N-doped Graphene on 4H-SiC (0001) - CentraleSupélec
Poster De Conférence Année : 2014

Role of Anions in the AuCl3-Doping Trilayers N-doped Graphene on 4H-SiC (0001)

Hakim Arezki
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1409053
  • IdRef : 194459160
Laboratoire de génie électrique de Paris
Mohamed Boutchich
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
David Alamarguy
Laboratoire de génie électrique de Paris
Fethullah Gunes
  • Fonction : Auteur
Department of Energy Science
José Alvarez
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Abdelkarim Ouerghi
Laboratoire de photonique et de nanostructures

Domaines

Physique [physics]

Thierry Leblanc  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01104496

Soumis le : vendredi 16 janvier 2015-19:24:46

Dernière modification le : vendredi 23 août 2024-10:53:47

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01104496 , version 1 (16-01-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01104496 , version 1

Citer

Hakim Arezki, Mohamed Boutchich, David Alamarguy, Fethullah Gunes, José Alvarez, et al.. Role of Anions in the AuCl3-Doping Trilayers N-doped Graphene on 4H-SiC (0001). IRAGO 2014, Nov 2014, Tsukuba, Japan. pp.7P8. ⟨hal-01104496⟩

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