Nitric Acid doping of epitaxial graphene on SiC (0001) substrate - CentraleSupélec
Poster De Conférence Année : 2014

Nitric Acid doping of epitaxial graphene on SiC (0001) substrate

Fethullah Gunes
  • Fonction : Auteur
Department of Energy Science
David Alamarguy
Laboratoire de génie électrique de Paris
Hakim Arezki
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1409053
  • IdRef : 194459160
Laboratoire de génie électrique de Paris
Alexandre Jaffré
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
José Alvarez
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Mohamed Boutchich
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV

Domaines

Physique [physics]

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https://centralesupelec.hal.science/hal-01104503

Soumis le : vendredi 16 janvier 2015-19:47:32

Dernière modification le : vendredi 23 août 2024-10:53:47

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01104503 , version 1 (16-01-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01104503 , version 1

Citer

Fethullah Gunes, David Alamarguy, Hakim Arezki, Alexandre Jaffré, José Alvarez, et al.. Nitric Acid doping of epitaxial graphene on SiC (0001) substrate. Graphene 2014, May 2014, Toulouse, France. Proceedings of the 4th edition of Graphene Conference. ⟨hal-01104503⟩

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