Characterization of N-doped multilayer graphene grown on 4H-SiC (0001) - CentraleSupélec
Article Dans Une Revue AIP Conference Proceedings Année : 2015

Characterization of N-doped multilayer graphene grown on 4H-SiC (0001)

Citation: 1649

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux
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Dates et versions

hal-01239163 , version 1 (11-03-2020)

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Citer

Hakim Arezki, Kuan-I Ho, Alexandre Jaffré, David Alamarguy, J Alvarez, et al.. Characterization of N-doped multilayer graphene grown on 4H-SiC (0001). AIP Conference Proceedings, 2015, 1649, pp.8. ⟨10.1063/1.4913537⟩. ⟨hal-01239163⟩

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