Characterization of a-Si:H/c-Si heterojunction by temperature dependent modulated photoluminescence - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Characterization of a-Si:H/c-Si heterojunction by temperature dependent modulated photoluminescence

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01239190

Soumis le : lundi 7 décembre 2015-15:03:06

Dernière modification le : jeudi 1 août 2024-13:48:05

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01239190 , version 1 (07-12-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01239190 , version 1

Citer

Ming Xu, Mohamed Boutchich, Igor Paul Sobkowicz, J Alvarez, Rudolf Brüggemann, et al.. Characterization of a-Si:H/c-Si heterojunction by temperature dependent modulated photoluminescence. 26th International Conference on Amorphous and nanocrystalline Semiconductors (ICANS 26), Sep 2015, Aachen, Germany. ⟨hal-01239190⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

X UPMC CNRS X-PICM X-DEP-PHYS LPICM CENTRALESUPELEC GEEPS PHEMADIC UNIV-PARIS-SACLAY SORBONNE-UNIVERSITE SU-SCIENCES GS-ENGINEERING GS-PHYSIQUE INSTITUT-SCIENCES-LUMIERE
181 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More