Atomic layer deposition of gallium phosphide for silicon based photovoltaics - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Atomic layer deposition of gallium phosphide for silicon based photovoltaics

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01363690

Soumis le : dimanche 11 septembre 2016-10:23:43

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:02

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Dates et versions

hal-01363690 , version 1 (11-09-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01363690 , version 1

Citer

A.S. Gudovskikh, I.A. Morozov, D. A. Kudryashov, E.V. Nikitina, A. S. Bukatin, et al.. Atomic layer deposition of gallium phosphide for silicon based photovoltaics. Photovoltaic Technical Conference, PVTC 2016, May 2016, Marseille, France. ⟨hal-01363690⟩

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