Study of Electronic Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film from SiH4/H2 using Tailored Voltage Waveforms - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Study of Electronic Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film from SiH4/H2 using Tailored Voltage Waveforms

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01363727

Soumis le : dimanche 11 septembre 2016-14:48:02

Dernière modification le : jeudi 1 août 2024-13:48:05

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Dates et versions

hal-01363727 , version 1 (11-09-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01363727 , version 1

Citer

Junkang Wang, Federico Ventosinos, Christophe Longeaud, Bastien Bruneau, D. Daineka, et al.. Study of Electronic Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film from SiH4/H2 using Tailored Voltage Waveforms. E-MRS 2016 Spring Meeting, May 2016, Lille, France. ⟨hal-01363727⟩

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