Direct growth of crystalline Silicon on GaAs by Low Temperature PECVD: toward hybrid tunnel junctions for III-V/Si tandem cells - CentraleSupélec
Poster De Conférence Année : 2016

Direct growth of crystalline Silicon on GaAs by Low Temperature PECVD: toward hybrid tunnel junctions for III-V/Si tandem cells

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01363728

Soumis le : dimanche 11 septembre 2016-14:58:36

Dernière modification le : jeudi 1 août 2024-13:48:05

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Dates et versions

hal-01363728 , version 1 (11-09-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01363728 , version 1

Citer

Gwenaëlle Hamon, Jean Decobert, N. Vaissiere, Raphaël Lachaume, Romain Cariou, et al.. Direct growth of crystalline Silicon on GaAs by Low Temperature PECVD: toward hybrid tunnel junctions for III-V/Si tandem cells. 43rd IEEE PV Specialists Conference, Jun 2016, Portland, United States. ⟨hal-01363728⟩

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