Article Dans Une Revue
Microelectronic Engineering
Année : 2016
David Alamarguy : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://centralesupelec.hal.science/hal-01449032
Soumis le : lundi 30 janvier 2017-01:48:03
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-11:46:09
Citer
A. Talneau, K. Pantzas, A. Durnez, G. Patriarche, D. Alamarguy, et al.. An ultra-thin SiO2 ALD layer for void-free bonding of III–V material on silicon. Microelectronic Engineering, 2016, 162, pp.40 - 44. ⟨10.1016/j.mee.2016.05.001⟩. ⟨hal-01449032⟩
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