Piezoelectric conversion with InGaN/GaN nanowire heterostructures - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Piezoelectric conversion with InGaN/GaN nanowire heterostructures

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01591417 , version 1 (21-09-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01591417 , version 1

Citer

Nicoletta Jegenyes, Martina Morassi, Pascal Chrétien, Laurent Travers, L Lu, et al.. Piezoelectric conversion with InGaN/GaN nanowire heterostructures. 12th International Conference on Nitride Semiconductors - ICNS 12, Jul 2017, Strasbourg, France. ⟨hal-01591417⟩
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