Si doped n-type GaP layers grown on Si wafers by low-temperature PE-ALD - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Si doped n-type GaP layers grown on Si wafers by low-temperature PE-ALD

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01632928

Soumis le : vendredi 10 novembre 2017-17:33:11

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:05

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Dates et versions

hal-01632928 , version 1 (10-11-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01632928 , version 1

Citer

A.S. Gudovskikh, A.V. Uvarov, I.A. Morozov, Artem Baranov, D. A. Kudryashov, et al.. Si doped n-type GaP layers grown on Si wafers by low-temperature PE-ALD. Photovoltaic Technical Conference, PVTC 2017, May 2017, Marseille, France. ⟨hal-01632928⟩

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