Low temperature plasma enhanced atomic layer deposition of GaP films on Si substrates - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Low temperature plasma enhanced atomic layer deposition of GaP films on Si substrates

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01632966

Soumis le : vendredi 10 novembre 2017-18:17:03

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:05

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01632966 , version 1 (10-11-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01632966 , version 1

Citer

Alexander S. Gudovskikh, D. A. Kudryashov, I.A. Morozov, Artem Baranov, A.V. Uvarov, et al.. Low temperature plasma enhanced atomic layer deposition of GaP films on Si substrates. ICANS27, The 27th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, Aug 2017, Seoul, South Korea. ⟨hal-01632966⟩

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