Développement de poly-silicium dope Bore par voie PECVD pour la passivation des contacts des cellules solaires - CentraleSupélec
Poster De Conférence Année : 2017

Développement de poly-silicium dope Bore par voie PECVD pour la passivation des contacts des cellules solaires

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01633178

Soumis le : samedi 11 novembre 2017-17:27:14

Dernière modification le : lundi 16 décembre 2024-15:36:53

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01633178 , version 1 (11-11-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01633178 , version 1

Citer

Audrey Morisset, Raphaël Cabal, Bernadette Grange, J Alvarez, Marie-Estelle Gueunier-Farret, et al.. Développement de poly-silicium dope Bore par voie PECVD pour la passivation des contacts des cellules solaires. Journées Nationales du Photovoltaïque 2017, Dec 2017, Dourdan, France. ⟨hal-01633178⟩

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