Contactless investigation of the doping concentration level of single GaAsμ-crystals grown on Silicon for multijunctionsolar cells - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Contactless investigation of the doping concentration level of single GaAsμ-crystals grown on Silicon for multijunctionsolar cells

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Optique / photonique

Alexandre Jaffré  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01721130

Soumis le : jeudi 1 mars 2018-17:25:26

Dernière modification le : mercredi 30 octobre 2024-13:27:47

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01721130 , version 1 (01-03-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01721130 , version 1

Citer

Alexandre Jaffré, J Alvarez, Jean-Paul Kleider, Denis Mencaraglia. Contactless investigation of the doping concentration level of single GaAsμ-crystals grown on Silicon for multijunctionsolar cells. Multiscale Solar, Feb 2018, Wroclaw, Poland. ⟨hal-01721130⟩

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