Silicon doping of GaP layers grown by time-modulated PECVD - CentraleSupélec
Poster De Conférence Année : 2018

Silicon doping of GaP layers grown by time-modulated PECVD

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01801312

Soumis le : lundi 28 mai 2018-13:39:18

Dernière modification le : mercredi 30 octobre 2024-13:27:51

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01801312 , version 1 (28-05-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01801312 , version 1

Citer

Artem Baranov, I.A. Morozov, A.V. Uvarov, G. E. Yakovlev, Jean-Paul Kleider. Silicon doping of GaP layers grown by time-modulated PECVD. Saint-Petersburg OPEN 2018, 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, Apr 2018, Saint-Pétersbourg, Russia. ⟨hal-01801312⟩

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