Improvement of the Electrical and Passivating Properties of PECVD Boron doped Poly-silicon on Oxide - CentraleSupélec
Poster De Conférence Année : 2018

Improvement of the Electrical and Passivating Properties of PECVD Boron doped Poly-silicon on Oxide

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01801326

Soumis le : lundi 28 mai 2018-13:48:06

Dernière modification le : mercredi 30 octobre 2024-13:27:57

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Dates et versions

hal-01801326 , version 1 (28-05-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01801326 , version 1

Citer

Audrey Morisset, Raphaël Cabal, Béatrice Grange, Clément Marchat, J Alvarez, et al.. Improvement of the Electrical and Passivating Properties of PECVD Boron doped Poly-silicon on Oxide. Silicon PV 2018, Mar 2018, Lausanne, Switzerland. ⟨hal-01801326⟩

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