Interface properties of GaP/Si heterojunction fabricated by PE-ALD - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Interface properties of GaP/Si heterojunction fabricated by PE-ALD

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01801489

Soumis le : lundi 28 mai 2018-14:43:13

Dernière modification le : mercredi 30 octobre 2024-13:27:52

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01801489 , version 1 (28-05-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01801489 , version 1

Citer

Alexander S. Gudovskikh, A.V. Uvarov, I.A. Morozov, Artem Baranov, D. A. Kudryashov, et al.. Interface properties of GaP/Si heterojunction fabricated by PE-ALD. EMRS Spring Meeting 2018, Jun 2018, Strasbourg, France. ⟨hal-01801489⟩

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