Analyse par photoluminescence du dopage résiduel dans un cristal unique de GaAs de taille micrométrique épitaxié sur silicium pour la réalisation de multijonctions - CentraleSupélec
Poster De Conférence Année : 2018

Analyse par photoluminescence du dopage résiduel dans un cristal unique de GaAs de taille micrométrique épitaxié sur silicium pour la réalisation de multijonctions

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01942352 , version 1 (03-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01942352 , version 1

Citer

Alexandre Jaffré, J Alvarez, Hung-Ling Chen, Hajer Makhloufi, Charles Renard, et al.. Analyse par photoluminescence du dopage résiduel dans un cristal unique de GaAs de taille micrométrique épitaxié sur silicium pour la réalisation de multijonctions. Journées Nationales du Photovoltaïque 2018 (JNPV 2018), Dec 2018, Dourdan, France. ⟨hal-01942352⟩
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