Heteroepitaxial growth of Silicon on GaAs via low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Heteroepitaxial growth of Silicon on GaAs via low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01943466

Soumis le : lundi 3 décembre 2018-18:24:50

Dernière modification le : mercredi 30 octobre 2024-13:28:52

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Dates et versions

hal-01943466 , version 1 (03-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01943466 , version 1

Citer

Guénaëlle Hamon, Nicolas Vaissiere Vaissière, Romain Cariou, Wanghua Chen, J Alvarez, et al.. Heteroepitaxial growth of Silicon on GaAs via low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition. Journées Nationales du PhotoVoltaïque (JNPV) 2018, Dec 2018, Dourdan, France. ⟨hal-01943466⟩

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