Low Temperature p-n Junction Fabrication by PECVD for n-PERT Solar Cells: An Alternative to Boron Diffusion - CentraleSupélec
Poster De Conférence Année : 2019

Low Temperature p-n Junction Fabrication by PECVD for n-PERT Solar Cells: An Alternative to Boron Diffusion

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-02344037

Soumis le : dimanche 3 novembre 2019-19:20:59

Dernière modification le : lundi 2 décembre 2024-09:50:02

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02344037 , version 1 (03-11-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02344037 , version 1

Citer

Marta Chrostowski, J Alvarez, Jean-Paul Kleider, K.-H. Kim, Etienne Drahi, et al.. Low Temperature p-n Junction Fabrication by PECVD for n-PERT Solar Cells: An Alternative to Boron Diffusion. 36th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSEC 2019), Sep 2019, Marseille, France. ⟨hal-02344037⟩

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