Study of GaP nucleation layer grown on Si by PE-ALD - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Study of GaP nucleation layer grown on Si by PE-ALD

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-02344049

Soumis le : dimanche 3 novembre 2019-19:45:24

Dernière modification le : mercredi 30 octobre 2024-13:28:32

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02344049 , version 1 (03-11-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02344049 , version 1

Citer

a S Gudovskikh, A.V. Uvarov, I.A. Morozov, Artem Baranov, Kirill S. Zelentsov, et al.. Study of GaP nucleation layer grown on Si by PE-ALD. E-MRS 2019 Spring Meeting, May 2019, Marseille, France. ⟨hal-02344049⟩

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