Effect of thermal coupling on the electronic properties of hydrogenated amorphous silicon thin films deposited by ECR - CentraleSupélec
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 2007

Effect of thermal coupling on the electronic properties of hydrogenated amorphous silicon thin films deposited by ECR

T.H. Dao
  • Fonction : Auteur
Marie-Estelle Gueunier-Farret
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
D. Daineka
  • Fonction : Auteur
P. Bulkin
  • Fonction : Auteur
Pere Roca I Cabarrocas
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris
Cyril Bazin
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
T. Kervyn de Meerenedre
  • Fonction : Auteur
P. Descamps
  • Fonction : Auteur
P. Loempoel
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00322079

Soumis le : mardi 16 septembre 2008-15:55:12

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:51

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Dates et versions

hal-00322079 , version 1 (16-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00322079 , version 1

Citer

T.H. Dao, Marie-Estelle Gueunier-Farret, D. Daineka, P. Bulkin, Pere Roca I Cabarrocas, et al.. Effect of thermal coupling on the electronic properties of hydrogenated amorphous silicon thin films deposited by ECR. Thin Solid Films, 2007, 515, pp.7650-7653. ⟨hal-00322079⟩

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