Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates

Yrebegnan Moussa Soro
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
A. Abramov
  • Fonction : Auteur
Marie-Estelle Gueunier-Farret
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
E.V. Johnson
CV
Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris
Pere Roca I Cabarrocas
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00322281

Soumis le : mercredi 17 septembre 2008-11:05:51

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:51

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00322281 , version 1 (17-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00322281 , version 1

Citer

Yrebegnan Moussa Soro, A. Abramov, Marie-Estelle Gueunier-Farret, E.V. Johnson, Christophe Longeaud, et al.. Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates. 22nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, ICANS 22, 2007, United States. ⟨hal-00322281⟩

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