Distributed Electron Cyclotron Resonance plasma: a technology for large area deposition of device quality a-Si:H at very high rate - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Distributed Electron Cyclotron Resonance plasma: a technology for large area deposition of device quality a-Si:H at very high rate

P. Leempoel
  • Fonction : Auteur
P. Descamps
  • Fonction : Auteur
T. Kervyn de Meerenedre
  • Fonction : Auteur
J. Charliac
Pere Roca I Cabarrocas
P. Bulkin
  • Fonction : Auteur
D. Daineka
  • Fonction : Auteur
T.H. Dao
  • Fonction : Auteur
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Marie-Estelle Gueunier-Farret
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris

Olivier Schneegans  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-00322305

Soumis le : mercredi 17 septembre 2008-11:38:34

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:51

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00322305 , version 1 (17-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00322305 , version 1

Citer

P. Leempoel, P. Descamps, T. Kervyn de Meerenedre, J. Charliac, Pere Roca I Cabarrocas, et al.. Distributed Electron Cyclotron Resonance plasma: a technology for large area deposition of device quality a-Si:H at very high rate. E-MRS 2007 Spring Meeting, 2007, France. ⟨hal-00322305⟩

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