Comparative study of Cu(In,Ga)Se2/(PVD)In2S3 and Cu(In,Ga)Se2/(CBD)CdS heterojunction based solar cells by admittance spectroscopy, current–voltage and spectral response measurements - CentraleSupélec
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 2009

Comparative study of Cu(In,Ga)Se2/(PVD)In2S3 and Cu(In,Ga)Se2/(CBD)CdS heterojunction based solar cells by admittance spectroscopy, current–voltage and spectral response measurements

Arouna Darga
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Denis Mencaraglia
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Zakaria Djebbour
Laboratoire de génie électrique de Paris
Anne Migan-Dubois
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Rémy Chouffot
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
Jaafar Serhan
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
F. Couzinié-Devy
  • Fonction : Auteur
J. Kessler
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00445967

Soumis le : lundi 11 janvier 2010-16:16:37

Dernière modification le : mardi 27 août 2024-11:55:44

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Identifiants

  • HAL Id : hal-00445967 , version 1

Citer

Arouna Darga, Denis Mencaraglia, Zakaria Djebbour, Anne Migan-Dubois, Rémy Chouffot, et al.. Comparative study of Cu(In,Ga)Se2/(PVD)In2S3 and Cu(In,Ga)Se2/(CBD)CdS heterojunction based solar cells by admittance spectroscopy, current–voltage and spectral response measurements. Thin Solid Films, 2009, 517 (7), pp. 2423-2426. ⟨hal-00445967⟩

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