Article Dans Une Revue
Canadian Journal of Physics
Année : 2014
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https://centralesupelec.hal.science/hal-01099596
Soumis le : dimanche 4 janvier 2015-20:08:52
Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-10:20:13
Citer
O. Maslova, A. Brézard-Oudot, M.E. Gueunier-Farret, J. Alvarez, W. Favre, et al.. Temperature and bias dependence of hydrogenated amorphous silicon – crystalline silicon heterojunction capacitance: the link to band bending and band offsets. Canadian Journal of Physics, 2014, 92 (7/8), pp.690-695. ⟨10.1139/cjp-2013-0544⟩. ⟨hal-01099596⟩
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