Deep-level transient spectroscopy (DLTS) TCAD-based simulation - CentraleSupélec
Poster De Conférence Année : 2015

Deep-level transient spectroscopy (DLTS) TCAD-based simulation

Arouna Darga
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris
CV
Djicknoum Diouf
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
Artem Baranov
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 974514
Jean-Paul Kleider
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris
CV

Résumé

Optimization of solar cells device and materials require a set of tools for the control and engineering of traps states which can be introduced during the fabrication process. Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) technique seems to be the most sensitive measuring method to determine electronic properties of deep levels in semiconductors. We use modern device TCAD (Technology Computer Aided Design) simulation software to evaluate the DLTS technique. The simulated device is a silicon schottky diode.

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Physique [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Arouna DARGA  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01253399

Soumis le : dimanche 10 janvier 2016-11:27:57

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:01

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01253399 , version 1 (10-01-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01253399 , version 1

Citer

Arouna Darga, Djicknoum Diouf, Artem Baranov, Jean-Paul Kleider. Deep-level transient spectroscopy (DLTS) TCAD-based simulation. Journées Nationales du Photovoltaïque 2015 (JNPV 2015), Dec 2015, Dourdan, France. . ⟨hal-01253399⟩

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