Influence of the dopant penetration depth on the solar cell performance of n-type interdigitated back contact silicon solar cells - CentraleSupélec
Poster De Conférence Année : 2016

Influence of the dopant penetration depth on the solar cell performance of n-type interdigitated back contact silicon solar cells

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01395733

Soumis le : vendredi 11 novembre 2016-16:35:11

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:03

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Dates et versions

hal-01395733 , version 1 (11-11-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01395733 , version 1

Citer

Alexander Korovin, J Alvarez, Jean-Paul Kleider. Influence of the dopant penetration depth on the solar cell performance of n-type interdigitated back contact silicon solar cells. SiliconPV 2016, Mar 2016, Chambéry, France. ⟨hal-01395733⟩

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